Фото только для справки
CG2H80030D-GP4
- Описание :
- RF MOSFET HEMT 28V DIE
- Корпус :
- Die
- Соответствует RoHS
- Документация (1)
- Добавить в избранное
- Добавить к сравнению
- Current - Test :
- 200mA
- Current Rating :
- -
- Frequency :
- 8GHz
- Gain :
- 16.5dB
- Noise Figure :
- -
- Package / Case :
- Die
- Packaging :
- Tray
- Power - Output :
- 30W
- Series :
- GaN
- Supplier Device Package :
- Die
- Transistor Type :
- HEMT
- Voltage - Rated :
- 84V
- Voltage - Test :
- 28V
