- Packaging:
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- Series:
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- Operating Temperature:
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- Package / Case:
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- Supplier Device Package:
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- Output:
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- Ratio - Input:Output:
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- Frequency - Max:
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Найдено 159 продуктов
Фото | Наименование | Производитель | Количество | Срок | Цена | КУПИТЬ | Описание | Packaging | Series | Operating Temperature | Package / Case | Supplier Device Package | Input | Output | Number of Circuits | Ratio - Input:Output | Frequency - Max | Type | ||
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Фото | Наименование | Производитель | Количество | Срок | Цена | КУПИТЬ | Описание | Packaging | Series | Operating Temperature | Package / Case | Supplier Device Package | Input | Output | Number of Circuits | Ratio - Input:Output | Frequency - Max | Type | ||
Silicon Labs |
496
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
IC JITTER ATTENUATOR/MULTIPLEXER
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 44-VFQFN Exposed Pad | 44-QFN (7x7) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.1694444444444444 | 350MHz | - | ||||
Silicon Labs |
1,571
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE: C
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 44-VFQFN Exposed Pad | 44-QFN (7x7) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.1694444444444444 | 1.028GHz | - | ||||
Silicon Labs |
228
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
IC JITTER ATTENUATOR/MULTIPLEXER
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 44-VFQFN Exposed Pad | 44-QFN (7x7) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.2097222222222222 | 350MHz | - | ||||
Silicon Labs |
2,429
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE: C
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 64-VFQFN Exposed Pad | 64-QFN (9x9) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.1736111111111111 | 1.028GHz | - | ||||
Silicon Labs |
768
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
IC CLK BUFFER PLL 64QFN
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 64-VFQFN Exposed Pad | 64-QFN (9x9) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.1736111111111111 | 712.5MHz | - | ||||
Silicon Labs |
1,011
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE:SI
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 44-VFQFN Exposed Pad | 44-QFN (7x7) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.2111111111111111 | 1.028GHz | - | ||||
Silicon Labs |
1,225
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE:SI
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 64-VFQFN Exposed Pad | 64-QFN (9x9) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.2152777777777778 | 1.028GHz | - | ||||
Silicon Labs |
542
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
IC CLK BUFFER PLL 64QFN
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 64-VFQFN Exposed Pad | 64-QFN (9x9) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.2152777777777778 | 712.5MHz | - | ||||
Silicon Labs |
559
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
IC CLK BUFFER PLL 44QFN
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 44-VFQFN Exposed Pad | 44-QFN (7x7) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.2111111111111111 | 712.5MHz | - | ||||
Silicon Labs |
507
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE:DU
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 44-VFQFN Exposed Pad | 44-QFN (7x7) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.2111111111111111 | 712.5MHz | - | ||||
Silicon Labs |
1,490
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE:QU
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 64-VFQFN Exposed Pad | 64-QFN (9x9) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.2138888888888889 | 712.5MHz | - | ||||
Silicon Labs |
149
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
IC CLK BUFFER PLL 64QFN
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 64-VFQFN Exposed Pad | 64-QFN (9x9) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.2138888888888889 | 712.5MHz | - | ||||
Silicon Labs |
369
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
IC JITTER ATTENUATOR/MULTIPLEXER
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 44-VFQFN Exposed Pad | 44-QFN (7x7) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.2097222222222222 | 350MHz | - | ||||
Silicon Labs |
409
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
IC CLK BUFFER PLL 44QFN
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 44-VFQFN Exposed Pad | 44-QFN (7x7) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.1694444444444444 | 712.5MHz | - | ||||
Silicon Labs |
303
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
IC CLK BUFFER PLL 44QFN
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 44-VFQFN Exposed Pad | 44-QFN (7x7) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.2111111111111111 | 350MHz | - | ||||
Silicon Labs |
150
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
IC JITTER ATTENUATOR/MULTIPLEXER
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 44-VFQFN Exposed Pad | 44-QFN (7x7) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.2111111111111111 | 350MHz | - | ||||
Silicon Labs |
586
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE:SI
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 44-VFQFN Exposed Pad | 44-QFN (7x7) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.2097222222222222 | 1.028GHz | - | ||||
Silicon Labs |
514
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
IC CLK BUFFER PLL 44QFN
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 44-VFQFN Exposed Pad | 44-QFN (7x7) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.2111111111111111 | 712.5MHz | - | ||||
Silicon Labs |
719
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
IC CLK BUFFER PLL 64QFN
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 64-VFQFN Exposed Pad | 64-QFN (9x9) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.2152777777777778 | 350MHz | - | ||||
Silicon Labs |
132
|
3 дн. |
-
|
MIN: 1 Кратность: 1
|
IC JITTER ATTENUATOR/MULTIPLEXER
|
Tray | - | -40°C ~ 85°C | 44-VFQFN Exposed Pad | 44-QFN (7x7) | LVCMOS,LVDS,LVPECL,Crystal | CML,HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL | 1 | 0.2111111111111111 | 350MHz | - |